III-V semiconductors; MOCVD; aluminium compounds; diffusion; gallium arsenide; indium compounds; interface structure; masks; optical waveguides; photoluminescence; semiconductor epitaxial layers; semiconductor growth; silicon compounds; spectral line breadth; surface;
机译:窄条选择性MOVPE生长的无氧化物InGaAlAs层的特性
机译:超低压MOVPE窄带选择性生长无氧化物InGaAlAs / InGaAlAs MQWs
机译:窄条选择性MOVPE制备InGaAlAs MQW埋藏异质结构激光器
机译:通过窄条纹选择性Movpe生长氧化氧化物波导的研究
机译:MOVPE生产的用于高效多结太阳能电池的块状稀氮化物-锑化物材料的特性。
机译:铟掺入在GaN窄条上生长的InGaN量子阱中
机译:通过LP-MOVPE生长的InP-Based HBT和InGaAlAs BASE渐变层
机译:分子束外延生长Inp中使用InGaalas的单模光波导和移相器。