机译:Al栅极n-金属-氧化物-半导体场效应晶体管的制备与表征,片上氮化硅离子敏感型场效应晶体管
机译:使用分选的单壁碳纳米管的高性能和高电流背栅薄膜场效应晶体管的制备和表征
机译:顶栅单壁碳纳米管场效应晶体管的制备和电学表征
机译:N-INAS单纳米轨场效应晶体管的制造和电学特性
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:使用偏振拉曼光谱法精确表征单晶场效应晶体管中的分子取向
机译:立方AlGaN / GaN异质结场效应晶体管:制造与表征
机译:具有单一势垒的纳米场效应晶体管中的单电子库仑阻塞