首页> 外文会议>Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 2005 IEEE International >Hot carrier generation and reliability of BT(body-tied)-fin type SRAM cell transistors (W/sub fin/=20~70nm)
【24h】

Hot carrier generation and reliability of BT(body-tied)-fin type SRAM cell transistors (W/sub fin/=20~70nm)

机译:BT鳍式SRAM单元晶体管(W / sub fin / = 20〜70nm)的热载流子产生和可靠性

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