Asymmetric graded low doped drain (AGLDD); Vertical channel nMOSFET; low doped drain (LDD); short channel effects (SCEs);
机译:具有不对称渐变轻掺杂漏极的垂直沟道nMOSFET
机译:具有梯度沟道掺杂的垂直nMOSFET改善了热载流子和短沟道性能
机译:减少侧向渐变沟道掺杂分布的0.1- / splμ/ m嵌入式沟道nMOSFET中热载流子的产生
机译:Sub-50-nm不对称等级低掺杂漏极(AGLDD)垂直通道NMOSFET
机译:对不对称加热垂直通道中跨块安装板的混合对流和传热的分析。
机译:凸源/漏极(RSD)和垂直掺杂漏极(LDD)多Si薄膜晶体管
机译:信道掺杂浓度对不对称双栅MOSFET降低漏极诱导屏障的依赖性
机译:118-H-6:2,105-H反应堆辅助支撑区域,低于等级结构和下层土壤的清理验证包; 118-H-6:3,105-H反应堆燃料储存盆和下层土壤; 118-H-6:3燃料储存盆地深区边坡土壤; 100-H-9,100-H-10和100-H-13法国排水沟; 100-H-11和100-H-12扩展盒法国排水管;和100-H-14和100-H-31表面污染区