首页> 外文会议>Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International >Advanced scalable ultralow-k/cu interconnect technology for 32 nm CMOS ULSI using self-assembled porous silica and self-aligned CoWP barrier
【24h】

Advanced scalable ultralow-k/cu interconnect technology for 32 nm CMOS ULSI using self-assembled porous silica and self-aligned CoWP barrier

机译:先进的可扩展超低k / cu互连技术,用于使用自组装多孔二氧化硅和自对准CoWP势垒的32 nm CMOS ULSI

获取原文

摘要

not avaliable
机译:无法使用

相似文献

  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号