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机译:先进的可扩展超低k / cu互连技术,用于使用自组装多孔二氧化硅和自对准CoWP势垒的32 nm CMOS ULSI
Kikkawa T.; Chikaki S.; Yagi R.; Shimoyama M.; Shishida Y.; Fujii N.; Kohmura K.; Tanaka H.; Nakayama T.; Hishiya S.; Ono T.; Yamanishi T.; Ishikawa A.; Matsuo H.; Seino Y.; Hata N.; Yoshino T.; Takada S.; Kawahara J.; Kinoshita K.;
机译:用于铜/多孔超低k互连技术的介电/金属侧壁扩散阻挡层
机译:双层侧壁势垒中的碳化硅基介电复合材料,用于Cu /多孔超低k互连
机译:集成工艺开发,用于改进与高级Cu互连上的有机无孔超低k介电碳氟化合物的兼容性
机译:采用自组装多孔二氧化硅和自对准牛屏屏蔽32nm CMOS ULSI先进的可扩展UltraLow-K / Cu互连技术
机译:用于高级ULSI应用的Al(Cu)和Cu互连中的热应力和微观结构。
机译:Cu /多孔超低k互连技术中的介质/金属扩散屏障
机译:采用先进BiCMOS技术的自对准发射极基极
机译:先进的BiCMOS技术中的自对准发射极基
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