flash memories; integrated circuit measurement; integrated circuit modelling; integrated circuit reliability; data retention reliability models; memory read-disturb; nitride storage flash memory cells; threshold voltage instability; state charge loss; ce;
机译:隐性通道结构上具有间隔型存储节点的2位/单元NOR型氧化硅-氮化物-氧化硅-硅闪存存储单元的带间热空穴擦除特性
机译:基于嵌入式通道结构的高密度2位/单元氧化硅-氮化物-硅-硅NOR闪存单元中间隔型存储节点的长度效应
机译:具有氧化物-氮化物-氧化物-氮化物(ONON)层的新的多晶硅层间电介质的堆叠栅闪存EEPROM单元中数据保留性能下降的经验模型
机译:2位氮化物存储闪存单元中数据保留和读干扰的可靠性模型
机译:提高基于闪存的固态存储系统的性能和可靠性。
机译:9月11日的恐怖袭击事件的长期记忆:Flashbulb MemoriesEvent Memories以及影响其保留的因素
机译:氮化物存储闪存单元中陷阱的横向迁移及其鉴定方法