MOSFET; semiconductor device models; carrier mobility; silicon; elemental semiconductors; scattering; doping profiles; work function; calibrated hydrodynamic transport model; strained Si n-MOSFET scaling methodology; bulk Si devices; gate length; Coulomb;
机译:漏极引起屏障降低效应缩放紧张Si MOSFET的闸门隧道电流模型
机译:带有应变Si的超短n-MOSFET:器件性能和使用蒙特卡洛模拟的弹道传输效应
机译:直接在绝缘体超薄体n-MOSFET上的应变硅中电子传输,体厚度范围为2至25 nm
机译:使用校准运输模型对应变Si N-MOSFET进行缩放方法的研究
机译:以硅烷为反应中间体合成应变中小型环的方法学的发展,以及对硅烷和硅环丙烷的催化和未催化反应机理的研究。
机译:一个区域规模花粉排放和交通建模框架的发展为研究气候变化对呼吸道过敏性疾病的影响
机译:具有不同高k栅极堆叠的si和应变si n-mOsFET的尺度研究