power semiconductor diodes; power bipolar transistors; thyristors; electrostatic discharge; semiconductor device reliability; protection; temperature distribution; failure analysis; holographic interferometry; smart power ESD protection devices; ther;
机译:使用单次二维干涉法在ESD保护器件中破坏性脉冲期间的热分布
机译:DES应力下智能功率ESD保护器件ns时标热成像的激光干涉法
机译:环境温度升高对承受长电过载脉冲的BCD ESD保护器件的热击穿行为的影响
机译:使用单秒钟的ESD保护装置中破坏性脉冲期间的热分布,二维干涉方法
机译:一种研究超短脉冲激光暴露的二维微尺度金属薄膜热变形的有限差分方法。
机译:通过二维RF脉冲降低多层体积单次时空MRI中的SAR要求
机译:ESD保护设备中电热效应的物理性质