MOSFET; semiconductor storage; semiconductor device models; hot carriers; electron traps; hole traps; hot carrier injection; gate dielectric stack; MOSFET; nonvolatile memory; subthreshold slope; NROM; localized charge trapping; spatial distribution;
机译:ALD HfO_2和Al_2O_3层沉积在非易失性半导体存储(NVSM)器件的双栅介质堆叠中的应用
机译:使用Ald门叠层对90 Nm节点Mosfet进行H硅酸盐介电材料的电学表征和载流子传输
机译:基于表面电势的具有si和au纳米点嵌入式栅极电介质的双栅极MOSFET的分析模型,用于非易失性存储应用
机译:基于MOSFET的非易失性存储器件的栅极介电叠层注入的热载体的空间特征
机译:绝缘体上硅(SOI)MOSFET的热载流子可靠性及其在非易失性存储器中的应用。
机译:具有低损伤CF4等离子处理的阻挡氧化物层的门注入金纳米颗粒非易失性存储器的数据保留特性
机译:基于氮化物界面层的具有高k栅极电介质叠层的锗mOsFET的设计,制造和表征