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【24h】

Ion implantation of N into Si andSiO/sub 2/Si in the 1-1000 eV energy range for gate dielectric fabrication

机译：在1-1000 eV能量范围内将N离子注入到Si和SiO / sub 2 / Si中以进行栅极电介质制造

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来源
《Ion Implantation Technology, 2000. Conference on》|2000年|P.342-345|共4页
会议地点
作者
Krug; C.; Baumvol; I.J.R.;
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正文语种
中图分类无线电电子学、电信技术;
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