机译:采用0.18- / spl mu / m CMOS技术的集成功率晶体管,用于RF片上系统应用
机译:适用于低压混合信号应用的0.13 / splμ/μm的多SiGe栅极CMOS技术
机译:部分耗尽的0.18- / spl mu / m SOI / CMOS技术的高频性能在低电源电压下对寄生元件的影响
机译:COSI / SUB 2 /综合保险丝在聚硅上用于低压0.18 / SPL MU / M CMOS应用
机译:用于低压集成电路应用的双栅CMOS设计和分析,包括绝缘体上硅MOSFET的物理建模。
机译:采用0.18μmCMOS技术的超低功耗RFID / NFC前端IC用于无源标签应用
机译:采用0.18- / spl mu / m CMOS的5.2-GHz RF功率采集器,用于植入式眼压监测