机译:CMOS集成电路中基于SCR的器件的片上静电放电保护设计概述
机译:用于VLSI电路中100 nm以下CMOS静电放电保护器件的最佳硅化技术
机译:RF CMOS和BiCMOS硅锗技术中静电放电保护电路的自动化设计系统方法和策略
机译:一微米CMOS器件和电路的静电放电保护
机译:新型基于硅的可控整流器(SCR)的器件的设计,表征和紧凑模型,用于集成电路中的静电放电(ESD)保护应用。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:CmOs片上静电放电保护电路,采用具有低EsD触发电压的四sCR结构
机译:片上保护电路对静电放电引起的潜在故障的敏感性