机译:利用杂质诱导的无序制造异质结双极晶体管和掩埋异质结构激光器的统一平面工艺
机译:利用侧壁基极接触结构(SICOS)的高电流增益低温伪异质结双极晶体管
机译:SiGe异质结双极晶体管双极互补金属氧化物半导体工艺中使用二极管激活的SiGe异质结双极晶体管的低电容低电压瞬态电压抑制器
机译:1.55-UM多量子孔激光器和异质结双极晶体管,采用锌扩散的相同结构制造
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:基于具有异质结结构的氧化锌薄膜晶体管的高度透明且表面等离子体增强的可见光探测器
机译:锗在锗注入制备的siGe异质结双极晶体管多晶硅发射极中的扩散
机译:功率siGe异质结双极晶体管(HBT)采用全自对准双mesa技术制造