机译:用于光掩模和纳米压印模具的电子束光刻中曝光图案宽度与16nm半间距线间距图形的化学梯度之间的关系的理论研究
机译:软光掩模光刻和液滴扩散纳米印迹制造图案图案蓝宝石基材
机译:多孔聚酰亚胺膜通过暴露于高压CO2和UV光与光掩模的横向图案化
机译:Photomask图案发生器的数据处理改进
机译:无掩模微离子束减少光刻系统的分辨率提高和图案发生器开发。
机译:亚10 nm特征铬光掩模用于方形金属环阵列的接触光刻构图
机译:高速二维图案发生器使用多DSPS的并行处理,用于PCB光掩模的图案检查。