机译:在具有掩埋异质结构的1.3- / splμm/ m InGaAsP-InP n型调制掺杂应变多量子阱激光器中缩短了开启延迟时间
机译:InGaAsP埋入异质结构激光器的电导数特性
机译:从光学和电气测量中提取的高速(f / sub -3 dB / = 20 GHz)隧道注入InP / InGaAsP 1.55 / spl mu / m脊形波导激光器的调制特性
机译:三种不同1.55-um IngaASP埋藏激光结构中的光学电气调制带宽的比较
机译:高速垂直腔表面发射激光器,在调制带宽上具有减小的电和热约束。
机译:受到光注入的两个横向耦合半导体激光器的锁定带宽
机译:1.5μmInGaasp多量子阱分布反馈掩埋异质结构激光器的非选择性再生长
机译:InGaasp / Inp埋地异质结构激光器,同时制造条纹和反射镜