机译:具有氮化硅电流阻挡层的单片集成780 nm / 650 nm波段自持脉动激光器的低工作电流
机译:具有高掺杂可饱和吸收层的650 nm波段AlGaInP可见激光二极管中的自持脉动
机译:横向模式稳定窗口结构680 nm AlGaInP可见激光二极管的连续波大功率(75 mW)操作
机译:680 NM频段自持脉动ALGainP可见激光二极管
机译:开发用于可见光激光器和发光二极管的宽带隙II-VI材料。 A. ZnMgCdSe结构的双极掺杂和电致发光。 B.六角形ZnSe基结构
机译:基于可见光通信的450nm GaN激光二极管的概率整形位加载的高级调制格式
机译:可见光GAINP脊激光二极管的热行为