机译:0.25微米双栅氧化层厚度CMOS工艺对多指深亚微米MOS器件闪烁噪声性能的影响
机译:通过牺牲选择性外延提高源/漏极的性能,以实现高性能深亚微米CMOS:工艺窗口与复杂性
机译:通过沉积后快速热退火控制多晶硅栅的晶粒尺寸,提高深亚微米CMOS工艺的产量
机译:使用负载锁定LPCVD膜和轻掺杂深漏极(LD〜3)结构的新型抑制污染的硅化工艺,用于深亚微米双栅极CMOS
机译:一种深亚微米单栅极CMOS技术,使用通过快速热化学气相沉积形成的原位掺杂硼的多晶硅锗锗栅极
机译:用于深亚微米CMOS晶体管的双金属栅极技术
机译:118-H-6:2,105-H反应堆辅助支撑区域,低于等级结构和下层土壤的清理验证包; 118-H-6:3,105-H反应堆燃料储存盆和下层土壤; 118-H-6:3燃料储存盆地深区边坡土壤; 100-H-9,100-H-10和100-H-13法国排水沟; 100-H-11和100-H-12扩展盒法国排水管;和100-H-14和100-H-31表面污染区