机译:使用氮化硅钝化抑制掺杂沟道InAlAs / InGaAs / InP异质结场效应晶体管(HFET)中的I-V扭结
机译:InAlAs / InGaAs HEMT中碰撞电离与扭结效应之间的直接相关性
机译:具有液相氧化的InGaAs栅极的InAlAs / InGaAs变质高电子迁移率晶体管中的击穿电压和冲击电离得到改善
机译:INALAS / INGAAS MODFET I-V kink由于INGAAS通道中的弱冲击电离过程导致
机译:GaAs衬底上用于1.3微米电吸收调制器的InGaAs / InAlAs量子阱。
机译:InGaAs / InAlAs / InP量子级联激光器的In0.52Al0.48As波导层MBE生长条件的优化
机译:Monte Carlo在短途inalas / Ingaas高电子移动晶体管中的扭结效果研究
机译:Inalas / InGaas HFET中的撞击电离