机译:不相溶的合金In0.52Al0.48As的层厚对In0.52Al0.48As / InP(001)上生长的InAs纳米结构形态的影响
机译:In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As / In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As MSM光电探测器和HEMT通过MOCVD在GaAs衬底上生长
机译:通过MOCVD在图案化的InP衬底上生长的高性能Al / sub 0.48 / In / sub 0.52 / As / Ga / sub 0.47 / In / sub 0.53 / As MSM-HEMT接收器OEIC
机译:高电阻未掺杂的Al / Sub 0.48 / In / Sub 0.52 /作为MOCVD种植的层
机译:应变的铟(0.52)铝(0.48)砷化物/铟(x)镓(1-x)砷化物(x大于0.53)高电子迁移率晶体管(HEMT),用于微波/毫米波应用。
机译:具有可调谐应用的PbZr0.52Ti0.48O3 / Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7组成层的多层薄膜
机译:不相溶的合金In0.52Al0.48As的层厚对In0.52Al0.48As / InP(001)上生长的InAs纳米结构形态的影响
机译:亚微米栅极In(0.52)al(0.48)as / In(0.53)Ga(0.47)as / In(0.52)al(0.48)的低频和微波表征作为分子生长的异质结金属半导体场效应晶体管光束外延。