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机译:原子水平结构在INP / GAINAS / INP和GAAS / GABAS / GAAs的异料填充物的生长温度依赖性
机译:GaInAs / InP复合沟道HEMT的GaInAs沟道厚度可变时的开态和关态击穿
机译:井组成和厚度在增益/ INP / GAINAS / INP结构中的影响为HEMT
机译:III-V INXGA1-XAS / INP MOS-HEMT为100-340GHz通信系统
机译:低能离子辐照下InP表面上自组织的纳米点结构:形态和组成分析
机译:通过原子层分子束外延生长在(0 0 1)InP上生长的应变补偿(GaInP)m(GaInAs)m短周期超晶格中的横向成分调制
机译:异质外延Inp电池结构中间隙Zn缺陷的氢钝化及对器件特性的影响