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袁瑞霞; 阎春辉; 国红熙; 李晓兵; 朱世荣; 李灵肖; 曾一平; 孔梅影;
中国科学院半导体所;
可见光激光器; 分子束外延; 气态源;
机译:新型快门控制方法制备的气源分子束外延应变单量子阱GaInP / AlInP可见光激光器
机译:气源分子束外延在15度角下生长的629 nm GaInP / AlInP多量子阱激光器的低(2.0 kA / cm / sup 2 /)阈值电流密度操作
机译:气源分子束外延制备的GaInP / AlInP多量子阱激光器的黄光(576 nm)激光发射
机译:固体源分子束外延生长的应变GaInP / AIGaInP量子阱激光二极管的大功率工作
机译:气源分子束外延生长的InP / InGaAs异质结双极晶体管和场效应晶体管。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:通过气源分子束外延在GaInp中重新分布和GaInp / alInp隧道二极管的生长
机译:气源分子束外延低温缓冲液生长量子阱的光学特性
机译:制造量子阱结构,半导体激光和复合半导体层的方法以及控制MBE(分子束外延)装置的方法
机译:分子束源细胞,分子束外延生长装置和分子束外延生长
机译:量子阱结构和光学约束模量子阱结构,将以有机金属气相模为模,在生产方式良好的半导体空InP衬底上形成
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