机译:未掺杂和不同掺杂的GaAs和InP晶体的质量衰减系数,有效原子序数和电子密度
机译:块状单晶生长过程中位错密度的有限元分析(InP单晶中掺杂原子的影响)
机译:评述“闪锌矿型化合物半导体中的孪晶形成分析:使用M. Neubert,A。Kwasniewski和R. Fornari的统计方法对块状InP进行的模型研究”,《晶体生长》 310(2008)5270
机译:在受控P压力下,未掺杂的INP的退火和散装晶体生长:制备未掺杂的Si Inp的视角?
机译:掺杂和未掺杂氧化硼/氧化磷,沉积和退火的PECVD锗硅酸盐玻璃的溶解度,电性能和应力状态的表征。
机译:InP在低至220°C的低温下形状受控的InP单晶生长
机译:退火未掺杂液体封装Czochralski Inp中的补偿缺陷
机译:LpE生长名义上未掺杂的Inp和In(0.8)Ga(0.2)as(0.5)p(0.5)合金。