机译:超薄氧化物中的氮化对N和PMOS器件栅极电流退化的影响
机译:隧道氧化物浮栅EEPROM器件的退化及其与高场电流引起的薄栅氧化物退化的关系
机译:具有用于FinFET技术的PMOS传输门的64Kb 16nm异步无扰电流2端口SRAM
机译:PMOS降解总栅极电流的相关性
机译:具有氧氮化物栅极电介质的p + -poly PMOSFET中的热孔退化和负偏压温度不稳定性(NBTI)增强。
机译:铌-锡线的空隙形态与其在机械负载下不可逆的临界电流降解之间的定量关系
机译:沟槽屏蔽平面栅极IGBT(TSPG-IGBT),具有自偏置PMOS,实现低导通状态电压和低饱和电流