epilayer thickness uniformity; carrier concentration variation; growth rate reproducibility; VPE growth; undoped carrier concentration; Hall mobility; lattice mismatch; InP substrate; InGaAs-InP epitaxial layers; carrier density; gallium arsenide; Ha;
机译:三英寸直径掺铁InP衬底上的InGaAs外延层的晶体质量
机译:三英寸直径Fe掺杂INP基板上的InGaAs外延层的晶体质量
机译:InP衬底上InGaAs层的低温金属有机气相外延生长
机译:在2英寸直径InP衬底上高纯度高均匀度InGaAs / InP外延层的VPE生长
机译:高速GaAsSb-InP和InGaAs-InP单向载流子光电二极管的仿真与比较
机译:InGaAs / InAlAs / InP量子级联激光器的In0.52Al0.48As波导层MBE生长条件的优化
机译:分子束外延生长和Inp中不匹配的InGaas和Inalas层的特征