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【2h】

Molecular beam epitaxial growth and charcterization of mismatched InGaAs and InAlAs layers on InP

机译：分子束外延生长和Inp中不匹配的InGaas和Inalas层的特征

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by Brian R. Bennett.

机译：由Brian R.Bennett撰写。

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作者
Bennett Brian R. (Brian Robert);
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年度 1993
总页数
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正文语种 eng
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1. Effect of surface steps and nonstoichiometry on critical thickness of strained InGaAs layers grown by molecular beam epitaxy on InAlAs/InP heterostructures [J] . M. Gendry, V. Drouot, G. Hollinger, Applied Physics Letters . 1995,第1期

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