机译:层序和沉积后退火温度对In_(0.53)Ga_(0.47)As上La_2O_3和HfO_2多层复合氧化物在MOS电容器应用中性能的影响
机译:退火处理对4H-SiC金属半导体 - 金属紫外光二极管高温性能的影响
机译:低温退火对多种溶剂合成的NiCo基双金属有机骨架材料电容性能的影响
机译:退火温度对多层金属化系统电迁移性能的影响
机译:用于多层低温共烧陶瓷微流体系统的高性能压电材料和器件
机译:用于高温表面声波传感器设备的Mo-La2O3多层金属化系统
机译:退火温度高达500°C时,[Co / pd] n多层膜中pd金属厚度与热稳定垂直磁各向异性特征的相关性
机译:温度达到700摄氏度的多层绝缘系统的性能最终报告,1964年10月 - 1967年5月