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Annual International Reliability Physics Symposium
Annual International Reliability Physics Symposium
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1.
The impact of an external sodium diffusion source on the reliability of MOS circuitry
机译:
外部钠扩散源对MOS电路可靠性的影响
作者:
Hefley P.L.
;
McPherson J.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
2.
High reliable Al-Si alloy/Si contacts by rapid thermal sintering
机译:
通过快速热烧结高可靠的Al-Si合金/ SI接触
作者:
Uemura E.
;
Onoda H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
3.
A new procedure for lifetime prediction of n-channel MOS-transistors using the charge pumping technique
机译:
使用电荷泵技术的N沟道MOS晶体管寿命预测的新步骤
作者:
Bellens R.
;
Heremans P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
4.
A new soft-error phenomenon in VLSIs: the alpha-particle-induced source/drain penetration (ALPEN) effect
机译:
VLSI中的一种新的软误差现象:α-粒子诱导的源/漏渗透(ALPEN)效应
作者:
Takeda E.
;
Hisamoto D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
5.
Detection of junction spiking and its induced latch-up by emission microscopy
机译:
通过发射显微镜检测结尖端及其诱导闩锁
作者:
Lim S.-C.
;
Tan E.-G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
6.
26th Annual Proceedings. Reliability Physics 1988 (Cat. No.88CH2508-0)
机译:
第26届年度诉讼。可靠性物理1988(猫。No.88Ch2508-0)
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
7.
Reliability performance of ETOX based flash memories
机译:
基于Etox的闪存可靠性性能
作者:
Verma G.
;
Mielke N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
8.
Effect of metal line geometry on electromigration lifetime in Al-Cu submicron interconnects
机译:
金属线几何对Al-Cu亚微米互连电迁移寿命的影响
作者:
Kwok T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
9.
The effect of channel hot carrier stressing on gate oxide integrity in MOSFET
机译:
信道热载体应力对MOSFET栅极氧化物完整性的影响
作者:
Chen I.C.
;
Choi J.Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
10.
In-situ observation and formation mechanism of aluminum voiding
机译:
铝排出的原位观察和地层机制
作者:
Sugano Y.
;
Minegishi S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
11.
Reliability of discrete MODFETs: life testing, radiation effects, and ESD
机译:
离散MODFET的可靠性:终身测试,辐射效应和ESD
作者:
Anderson W.T.
;
Christou A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
12.
Plastic packaging stress induced failures in TiW/Al-Si metal to silicide contacts
机译:
塑料包装应力引起TiW / Al-Si金属的故障,硅化物触点
作者:
Kitagawa H.
;
Maeda T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
13.
Analysis of package cracking during reflow soldering process
机译:
回流焊接过程中包装裂纹分析
作者:
Kitano M.
;
Nishimura A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
14.
Bond pad structure reliability
机译:
键盘结构可靠性
作者:
Ching T.B.
;
Schroen W.H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
15.
Investigation of instability in multi-layer dielectric structures
机译:
多层电介质结构中不稳定性研究
作者:
Murakami S.
;
Kagami T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
16.
A review of IC fabrication design and assembly defects manifested as field failures in Air Force avionic equipment
机译:
IC制造设计和装配缺陷的综述表现为空军航空设备中的现场故障
作者:
Green T.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
17.
Gold-silicon fiber shorts in VLSI devices
机译:
VLSI器件中的金色纤维短裤
作者:
Lund R.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
18.
A resistance change methodology for the study of electromigration in Al-Si interconnects
机译:
Al-Si互连电迁移研究的电阻变化方法
作者:
Maiz J.A.
;
Segura I.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
19.
Statistical modeling of silicon dioxide reliability
机译:
二氧化硅可靠性统计建模
作者:
Lee J.
;
Chen I.-C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
20.
The dependence of hot carrier degradation on AC stress waveforms
机译:
热载流量降解对交流应力波形的依赖性
作者:
Cham K.M.
;
Fu H.-s.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
21.
A wafer-level corrosion susceptibility test for multilayered metallization
机译:
多层金属化的晶片级腐蚀敏感性测试
作者:
Fan S.K.
;
McPherson J.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
22.
Fatigue of soft-soldered contacts at surface-mounted devices
机译:
表面安装装置的软焊接触点的疲劳
作者:
Hieber H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
23.
Radiation and hot-electron hardness of SiO/sub 2//Si grown in O/sub 2/ with trichloroethane additive
机译:
SiO / Sub 2 // Si的辐射和热电子硬度在O / Sub 2 /带三氯乙烷添加剂中生长
作者:
Wang Y.
;
Nishioka Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
24.
Internal chip ESD phenomena beyond the protection circuit
机译:
超出保护电路的内部芯片ESD现象
作者:
Duvvury C.
;
Rountree R.N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
25.
Effective kinetic variations with stress duration for multilayered metallizations
机译:
具有多层金属化的应力持续时间的有效动力学变化
作者:
Ondrusek J.C.
;
Nishimura A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
26.
Moisture induced package cracking in plastic encapsulated surface mount components during solder reflow process
机译:
焊料回流过程中塑料封装表面安装部件中的水分诱导包装裂缝
作者:
Lin R.
;
Blackshear E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
27.
Effects of annealing temperature on electromigration performance of multilayer metallization systems
机译:
退火温度对多层金属化系统电迁移性能的影响
作者:
Hoang H.H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
28.
Investigation of the EBIC/TCM-method and application to VLSI-structures
机译:
EBIC / TCM-Method的调查及应用于VLSI结构
作者:
Dallmann A.
;
Bollmann D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
29.
Alpha-particle-induced soft-error mechanism in semi-insulating GaAs substrate
机译:
半绝缘GaAs衬底中的α-粒子诱导的软错误机制
作者:
Umemoto Y.
;
Matsunaga N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
30.
Reliability prediction of MOS devices: experiments and model for charge build up and annealing
机译:
MOS设备的可靠性预测:充电和退火的实验与模型
作者:
Wulf F.
;
Braunig D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
31.
A test methodology to monitor and predict early life reliability failure mechanisms
机译:
一种测试方法,用于监控和预测早期寿命可靠性失效机制
作者:
Conrad T.R.
;
Mielnik R.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
32.
High reliable Al-Si alloy/Si contacts by rapid thermal sintering
机译:
通过快速热烧结高可靠的Al-Si合金/ SI接触
作者:
Umemura E.
;
Onoda H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
33.
Biographies
机译:
传记
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
34.
Statistics for electromigration testing
机译:
电迁移测试统计数据
作者:
Schafft H.
;
Lechner J.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
35.
Failure in CMOS circuits induced by hot carriers in multi-gate transistors
机译:
多栅极晶体管中的热载波引起的CMOS电路失败
作者:
Chatterjee A.
;
Aur S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
36.
Effect of high thermal stability mold material on the gold-aluminum bond reliability in epoxy encapsulated VLSI devices
机译:
高热稳定模具材料对环氧包封VLSI器件金 - 铝粘合可靠性的影响
作者:
Khan M.
;
Fatemi H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
37.
A comparison between noise measurements and conventional electromigration reliability testing
机译:
噪声测量与传统电迁移可靠性测试的比较
作者:
Cottle J.G.
;
Chen T.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
38.
Hot electron reliability and ESD latent damage
机译:
热电子可靠性和ESD潜在损坏
作者:
Aur S.
;
Chatterjee A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
39.
Kinetic study of electromigration failure in Cr/Al-Cu thin film conductors covered with polyimide and the problem of the stress dependent activation energy
机译:
聚酰亚胺Cr / Al-Cu薄膜导体中电迁移失效的动力学研究及应力依赖性能量问题
作者:
Lloyd J.R.
;
Shatzkes M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
40.
A new bond failure wire crater in surface mount device
机译:
表面贴装装置中的新债券失效钢丝陨石坑
作者:
Koyama H.
;
Shiozaki H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual International Reliability Physics Symposium》
|
1988年
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