lithography simulation; mask topography; mask materials; polarization;
机译:最佳相移掩模和多层叠层,评价成像性能和极端紫外线高值孔径中的过程纬度
机译:掩模电磁效应对45 nm及以上光学接近校正性能的严重影响
机译:几何参数和基板对堆叠纳米晶体效应晶体管模拟/射频性能的影响
机译:掩模堆栈及其光学参数对成像性能的影响
机译:单曝光和双曝光光学微光刻的掩模设计:逆成像方法
机译:实验参数误差对使用扩散光学层析成像的重建乳房图像的影响
机译:突发组装参数对光学突发切换网络性能的影响
机译:从VLsI(超大规模集成电路)光学图像中提取掩模