Charge trapping; Defects; Degradation; Diamond; H-termination; MESFET; Reliability;
机译:H端金刚石MESFET中的栅源距离缩放效应
机译:高功耗运行条件下的H封端钻石MESFET的可靠性
机译:H端接的金刚石基MESFET的14.8 MeV中子辐照
机译:H端金刚石MESFET的降解效应和来源
机译:低压差稳压器中的硅MESFET的评估和表征
机译:H端和O端纳米晶体金刚石薄膜上的成骨细胞分化
机译:H端金刚石MESFET中的栅源距离缩放效应