Voltage-controlled oscillators; Tuning; Phase noise; Frequency measurement; Wideband; Voltage measurement; Power generation;
机译:23-36.8 -GHz低噪声频率合成器,具有SiGe BICMOS的基本Colpitts VCO阵列,适用于5G应用
机译:在Sige Bicmos技术中集成了具有数字调谐功能的22 Ghz低相位噪声Vco
机译:集成的22 GHz低相位噪声VCO,采用SiGe BiCMOS技术进行数字调谐
机译:具有SiGe BICMOS的频率三倍体的集成VCO,具有来自22 GHz至32 GHz的1-DB带宽,用于多频带5G无线网络
机译:用于17 GHz无线网络的硅锗射频集成电路。
机译:用于5G和Sub-6 GHz无线通信的多频频率可重构天线的设计与实验分析
机译:采用BiCmOssiGe0.25μm技术集成的具有极低相位噪声的15 GHz VCO设计