alumina; aluminium compounds; etching; frequency response; gallium compounds; high electron mobility transistors; III-V semiconductors; MOSFET; semiconductor device models; two-dimensional electron gas; wide band gap semiconductors;
机译:高性能微波栅极嵌入式AlGaN / AlN / GaN MOS-HEMT,具有73%的功率附加效率
机译:夹在GaN和Al2O3层之间的AIN层对凹陷的AlGaN / GaN MOS-HEMT的性能和可靠性的影响
机译:AlGaN / GaN HEMT AC / DC常规和闸门凹陷MOS-HEMT的性能分析,温度变化
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:以Gd2O3为栅介质的Si衬底上AlGaN / GaN MOS-HEMT的温度性能
机译:开发基于物理的alGaN / GaN HEmT有限元模型,该模型能够适应工艺和外延变化并使用多个DC参数进行校准(后印刷)