Capacitance; Semiconductor device modeling; Logic gates; Integrated circuit modeling; MOSFET; Mathematical model; Temperature measurement;
机译:SIC电源MOSFET紧凑型电热模拟装置老化的影响
机译:SiC功率MOSFET的基于物理的紧凑模型
机译:SiC和CoolMOS功率MOSFET中的双极闩锁的紧凑电热可靠性建模和实验表征
机译:具有实验验证的SIC电源MOSFET的基于改进的物理基于物理基于LTSPICE紧凑型电热模型
机译:开发基于物理的4H-SiC高压功率开关模型-MOSFET,IGBT和GTO。
机译:包含球形硅太阳能电池的SiC逆变器的紧凑型光伏系统中电流对太阳辐射功率的依赖性
机译:SiC功率MOSFET的基于物理的紧凑模型
机译:利用siC功率mOsFET的硬开关Boost功率处理单元的长期可靠性。