Contacts; Indium gallium arsenide; Nickel; Indium phosphide; III-V semiconductor materials; Conductivity; Surface morphology;
机译:开发CMOS兼容的联系技术,适用于Ⅲ-β材料和Si光子
机译:混合III–V /硅技术,用于在200毫米完全兼容CMOS的硅光子平台上进行激光集成
机译:用于200毫米全CMOS兼容硅光子平台的激光集成的混合III-V /硅技术
机译:Si Photonics的CMOS兼容接触技术
机译:用于光子器件的CMOS兼容硅纳米线的生长和光学特性。
机译:单个IV组量子增强了电信发射通过光子晶体腔中与CMOS兼容的精确定位的点
机译:CMOS兼容硅光子传感器,用于使用本地背面释放的折射率感应