Mathematical model; Numerical models; Heterojunction bipolar transistors; Solid modeling; Silicon germanium; Gain; Cutoff frequency;
机译:具有渐变SiGe基极的HBT晶体管中反向基极宽度调制效应的建模
机译:发射极和集电极宽度对硅锗(SiGe)异质结双极晶体管(HBT)性能的影响的仿真
机译:用于确定SiGe HBT中基极电阻的基于晶体管的方法:不同技术的回顾和评估
机译:亚微米SiGe HBT晶体管的二维数值建模
机译:SiGe HBT和RF CMOS的高频噪声建模和微观噪声仿真。
机译:有机电化学晶体管的数值建模
机译:新型二维电子气基HBT(2DEG-HBT):二维数值模拟
机译:功率siGe异质结双极晶体管(HBT)采用全自对准双mesa技术制造