HEMTs; Plasmons; Logic gates; Couplings; Electrodes; Plasma waves; MODFETs;
机译:使用超薄AlN / GaN超晶格中间层通过MOCVD在4英寸Si(110)衬底上生长的高质量GaN膜和AlGaN / GaN HEMT
机译:用于电源应用的具有电压放大功能的铁电栅堆叠AlGaN / Si-GaN MOS-HEMT的实验演示
机译:AlGaN / GaN功率HEMT的关态降解:随时间变化的漏极-源极击穿的实验演示
机译:超薄膜Algan / GaN Hemt阵列增强太赫兹耦合到等离子体耦合的实验证明
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由低频噪声和脉冲电测量证明,栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由脉冲I-V和低频噪声测量证明