Field effect transistors; Doping; Capacitance; Radio frequency; Photonic band gap; Substrates;
机译:绝缘体(GOOI)场效应晶体管上的高性能耗尽/增强极β-Ga2O3,记录的漏极电流为600/450 mA / mm
机译:漏电流超过1.5 A / mm的绝缘体场效应晶体管上的β-Ga_2O_3及其自热效应
机译:动态耗尽绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管的非电荷表沟道电势和漏极电流模型
机译:耗尽/增强模式β-GA2O3在绝缘体场效应晶体管上,漏极电流超过1.5 / 1.0 A / mm
机译:规模化和部分耗尽的绝缘体上硅场效应晶体管中噪声机制的仿真。
机译:β-Ga2O3纳米膜具有陡峭亚阈值的负电容场效应晶体管宽带隙逻辑应用的斜率
机译:具有漏极电流的绝缘子场效应晶体管上的\ b {eta} -Ga2O3 超过1.5 a / mm及其自热效应