Flash memory cells; High-k dielectric materials; Tunneling; Logic gates; Graphene; Aluminum oxide; Data models;
机译:以金属浮栅/金属纳米作为电荷存储层的闪存设备:状态回顾
机译:通过编程/擦除持久性分析NAND闪存中浮栅电荷的移位和生成的隧穿氧化物陷阱电荷分布的新方法
机译:在Pt / Ti / AI_2O_3 / GO /石墨烯/ SiO_2 / p-Si / Au非易失(FLASH)应用中集成用于宽存储窗口的氧化石墨烯缓冲层/石墨烯浮栅
机译:具有Highk隧道势垒技术的浮栅闪存中的石墨烯作为电荷存储层
机译:设计用于非易失性闪存设备的纳米晶体浮栅。
机译:电荷捕获存储器中用于纳米浮栅的隔离纳米石墨烯晶体
机译:石墨烯作为浮动栅极闪存中的电荷存储层的可靠性