Gallium arsenide; DH-HEMTs; Substrates; Films; Metals; Charge carrier lifetime; MOCVD;
机译:带有AlGaAs / GaAs隧道二极管的InGaP / GaAs双结太阳能电池生长在偏离取向的GaAs衬底10°处
机译:在GaAs衬底上通过MOCVD外延生长的InGaAs / GaAs / AlGaAs激光器发射的波长为1190 nm
机译:在精确且倾斜GE / Si(001)基板上的MOCVD产生的InGaAs / GaAs / Algaas激光结构的受刺激发射
机译:在柔性金属基板上由MOCVD种植的AlGaAs / GaAs DH和Ingap / GaAs DH
机译:MOCVD生长的GaAs / AlGaAs核壳纳米线的光致发光和共振拉曼光谱。
机译:在(100)和(311)B GaAs衬底上生长的GaAs / AlGaAs多量子阱的深层瞬态光谱
机译:在Gaas衬底上通过金属有机化学气相沉积生长的InGaas / InGaasp / InGap量子阱激光二极管的界面结构
机译:分子束外延(mBE) - 未掺杂Gaas / alGaas双异质结构(DH)的非辐射寿命的优化。