Silicon carbide; MOSFET; Temperature measurement; Robustness; Power electronics; Semiconductor device measurement; Current measurement;
机译:SiC功率MOSFET的高温脉冲栅极鲁棒性测试
机译:SiC功率MOSFET的温度敏感电参数研究
机译:用于互补逆变器的−730 V P沟道垂直SiC功率MOSFET的鲁棒性研究
机译:负温下SiC电源MOSFET的鲁棒性研究
机译:基于高电流高温SiC MOSFET的固态功率控制器的开发。
机译:负栅偏置SiC MOSFET的辐射响应
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机译:用si和siC mOsFET研究DC-DC转换器功率密度