机译:具有AlN / AlGaN缓冲层的Si(111)基板上三维生长的GaN岛中的螺纹位错减少
机译:用ALN / AlGaN缓冲层的Si(111)衬底上三维生长的GaN岛的穿线脱位减少
机译:通过引入脉冲原子层外延缓冲层降低AlN外延层中的螺纹位错密度
机译:LT-AlN缓冲层对AlGaN层中螺纹位错密度的影响
机译:具有非常低的螺纹位错密度的氮化镓层的生长。
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:GaN癫痫术中的Ultralow穿线脱位密度在近乎应急的GaN符合缓冲层及其在杂外延LED中的应用