机译:通过化学气相沉积(CVD)在C面SiC和蓝宝石上外延生长石墨碳
机译:碳纳米管通过化学气相沉积在碳化硅颗粒上的定量和可控生长
机译:通过化学气相沉积同时生长碳化硅纳米棒和碳纳米管
机译:使用一氧化碳(CO)和已处理的二氧化碳(CO2)进行化学气相沉积(CVD)来生长硅基结晶碳化硅(SiC)的比较
机译:通过热化学气相沉积(CVD)在图案化的硅晶片上生长碳纳米管。
机译:化学气相沉积(CVD)中C面SiC和蓝宝石上的石墨碳外延生长
机译:化学气相沉积(CVD)中C面SiC和蓝宝石上的石墨碳外延生长
机译:化学气相沉积(CVD)制备的板状和管状整体碳化硅(siC)的断裂强度