MOSFET; CNTFETs; Logic gates; Silicon-on-insulator; Performance evaluation; Threshold voltage;
机译:沟道长度,栅极绝缘体厚度,栅极绝缘体材料和温度对纳米级FET性能的影响
机译:纳米InAs,$ {rm In} _ {0.53} {rm Ga} _ {0.47} {rm As} $和sSi n-MOSFET的性能基准测试和有效沟道长度
机译:隔离层对纳米级肖特基势垒SOI MOSFET可扩展性和模拟/ RF性能的影响
机译:缩放通道长度对纳米级FET性能的影响
机译:使用磷化铟铝作为栅介质的亚微米栅长砷化镓沟道MOSFET的制备和性能。
机译:Ge摩尔分数在改善纳米级无结隧穿FET性能中的作用:概念和缩放能力
机译:长通道碳纳米管作为缩放MOSFET中的纳米级硅通道的替代方案
机译:由于最小加速度长度,在超短通道Fets中过冲饱和。