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【24h】

A design for CMOS infrared metamaterial absorbers for near unity absorpitivity

机译:关于近统一吸收性的CMOS红外超材料吸收器的设计

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摘要

We design infrared metamaterial absorbers by using CSMC 0.5-μm and 0.18-μm CMOS technology. Absorption peaks appear in 2-5 μm waveband which is absent in SiO2 absorption spectra, and absorption in 8-14 μm waveband is enhanced.
机译:我们通过使用CSMC0.5μm和0.18μmCMOS技术设计红外超材料吸收器。吸收峰出现在SiO 2吸收光谱中不存在的2-5μm波段中,增强了8-14μm波带中的吸收。

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