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一种兼容CMOS工艺的宽波段超材料吸收器

摘要

本发明涉及一种兼容CMOS工艺的宽波段超材料吸收器,所述该超材料吸收器的主要结构包括:所述结构包括依次设置的下基板、绝缘介质。下基板包括具有可见光波段与1550nm光通信波段超吸收功能的MIM结构。本发明可以实现兼容CMOS工艺的宽波段超表面吸收结构,在可见光和光通信波段实现宽范围的高吸收率功能。

著录项

  • 公开/公告号CN111929753A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东南大学;

    申请/专利号CN202010575408.7

  • 发明设计人 张易晨;夏军;

    申请日2020-06-22

  • 分类号G02B5/00(20060101);G02F1/1335(20060101);G02B1/00(20060101);

  • 代理机构32206 南京众联专利代理有限公司;

  • 代理人杜静静

  • 地址 210096 江苏省南京市玄武区四牌楼2号

  • 入库时间 2023-06-19 08:52:00

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