Indium antimonide (InSb); Infrared (IR); FPA; Etching; Multi-step; Plasma; AFM; Raman spectroscopy;
机译:通过干法蚀刻多步工艺获得的高纹理化多晶硅表面
机译:开发用于最大掩模蚀刻的过程配方和具有垂直侧壁的最大蚀刻速率,用于深度,高度各向异性电感耦合等离子体(ICP)蚀刻熔融二氧化硅的蚀刻
机译:开发用于中红外应用的InSb干法蚀刻
机译:用于开发高度光敏INSB中红外FPA的多步等离子体蚀刻工艺
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:NF3和F3No等离子体的氧化硅蚀刻方法具有残余气体分析仪
机译:用电感耦合等离子体刻蚀siO2刻蚀工艺
机译:基于ICl和IBr的化学中的电感耦合等离子体蚀刻:第二部分。 Inp,Insb,InGap和InGaas;等离子体化学和等离子体处理