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【24h】

Nano - Microscale Electrical Characterization of Copper Thru Silicon Vias in 3D Stacked Integrated Circuits

机译:纳米微观铜通过3D堆叠集成电路硅通孔的电学特性

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摘要

This paper describes the implementation of different electrical measurements techniques and systems operating at nano and micro scales for the electrical characterization of copper filled Thru Silicon Vias used for 3D integrated circuits interconnects and defect detection in such vias.
机译:本文介绍了在纳米和微尺度下操作的不同电测量技术和系统的实现,用于在这种通孔中互连的3D集成电路互连的铜填充的铜填充的硅通孔的电学表征和缺陷检测。

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