Loss measurement; Gallium nitride; HEMTs; MODFETs; Temperature measurement; Switches; Silicon;
机译:GaN HEMT电容(包括寄生元件)的分析模型
机译:改进的等效电路,用于根据“冷身”测量确定MESFET和HEMT寄生电容
机译:MESFET和HEMT器件的微波f / sub t /测量中的寄生电容校正技术
机译:GaN HEMT硬开关中的寄生电容方程损耗机制,计算和测量
机译:使用低噪声分流电容-电压测量从亚100nm MOSFET去除寄生电容的新方法。
机译:膜传输机制通过兆赫兹电压钳的电容测量来探测。
机译:栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由低频噪声和脉冲电测量证明,栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由脉冲I-V和低频噪声测量证明
机译:在提取GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)的寄生电感时去除残余栅源电容的数值技术