RIE; deep trench; epitaxy; sacrificial SiGe;
机译:通过Arf准分子激光辅助加工将薄A-si:h / a-ge:h双层薄膜生长和修饰成牺牲C-sige合金
机译:使用各种介电掩模图形和工艺条件进行锡格层的低温选择性外延生长
机译:使用水溶性牺牲钙钛矿氧化物转移外延SRTIO3纳米突出层
机译:通过牺牲SiGe外延层的沟槽倍增过程
机译:研究碳化硅的外延层和块状晶体的生长过程和缺陷形成。
机译:具有多个外延层的150–200 V分离栅沟道功率MOSFET
机译:在块状单晶SiGe和Si衬底上的UHV / CVD SiGe外延层的生长和表征