...
机译:使用各种介电掩模图形和工艺条件进行锡格层的低温选择性外延生长
School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University 664-14 Deokjingu, Deokjindong, Jeonju 561-756, Republic of Korea;
selective epitaxial growth; sige; rpcvd;
机译:高介电常数薄膜掩膜的SiGe层的选择性外延生长
机译:高介电常数薄膜掩膜的SiGe层的选择性外延生长
机译:高介电常数薄膜掩膜的SiGe层的选择性外延生长
机译:适用于45nm以上节点的低温,低缺陷和低成本SiGe选择性外延生长(L 3 sup> SiGe SEG)工艺的技术突破
机译:Si和SiGe / Si异质结构在热壁管状低压化学气相沉积系统中的选择性外延生长。
机译:用于有机串联太阳能电池的可低温溶液处理的3D图案电荷复合层
机译:使用氮氧化物电介质最大化自对准双多晶硅siGe双极晶体管中选择性外延基层的生长速率