MOS capacitors; germanium; nitrogen compounds; reliability; surface treatment; Ge; Nlt; subgt; 2lt; /subgt; O; NHlt; subgt; 3lt; /subgt; NO; electrical properties; size 1.88 nm; size 7.2 nm; stack gate dielectric; surface pretreatment;
机译:三氯乙烯表面预处理的HfO2栅介电MOS电容器的电性能和可靠性
机译:经三氯乙烯表面预处理的HfO_2栅介电MOS电容器的电性能和可靠性
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